창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRT500100 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRT50045 ~ 500100R Three Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 500A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 250A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBRT500100GN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRT500100 | |
관련 링크 | MBRT50, MBRT500100 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | DRQ127-820-R | Shielded 2 Coil Inductor Array 319µH Inductance - Connected in Series 79.75µH Inductance - Connected in Parallel 143 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 2.09A Nonstandard | DRQ127-820-R.pdf | |
![]() | RT0603DRD0780K6L | RES SMD 80.6KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD0780K6L.pdf | |
![]() | CMF50475K00FKR6 | RES 475K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50475K00FKR6.pdf | |
![]() | BAS45ATR | BAS45ATR NXP SMD or Through Hole | BAS45ATR.pdf | |
![]() | Z85C3010VSG00TR-CT | Z85C3010VSG00TR-CT ZIL SMD or Through Hole | Z85C3010VSG00TR-CT.pdf | |
![]() | NRM224K250 | NRM224K250 NIC SMD or Through Hole | NRM224K250.pdf | |
![]() | TYS607-6 | TYS607-6 ORIGINAL TO-2203P | TYS607-6.pdf | |
![]() | OP282CZ | OP282CZ AD CDIP8 | OP282CZ.pdf | |
![]() | XC4036XLA-5BGG432I | XC4036XLA-5BGG432I XILINX QFP | XC4036XLA-5BGG432I.pdf | |
![]() | FT0813 | FT0813 ORIGINAL DIP | FT0813.pdf | |
![]() | CZB1JGTTE800P | CZB1JGTTE800P KOA SMD or Through Hole | CZB1JGTTE800P.pdf | |
![]() | 60R185F | 60R185F LIT DIP | 60R185F.pdf |