창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR6035 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR6020~6040R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 60A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | MBR6035GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR6035 | |
| 관련 링크 | MBR6, MBR6035 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | HFZ561MBFEF0KR | 560pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | HFZ561MBFEF0KR.pdf | |
![]() | CJT10001R8JJ | RES CHAS MNT 1.8 OHM 5% 1000W | CJT10001R8JJ.pdf | |
![]() | RT0603WRE0719R1L | RES SMD 19.1OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRE0719R1L.pdf | |
![]() | MBB02070C4322FC100 | RES 43.2K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C4322FC100.pdf | |
![]() | 600F6R8JT200T | 600F6R8JT200T ATC SMD | 600F6R8JT200T.pdf | |
![]() | CBP4.0(64642F0) | CBP4.0(64642F0) VIATEL SMD or Through Hole | CBP4.0(64642F0).pdf | |
![]() | FAN8047G3_NL | FAN8047G3_NL FAIRCHILD SOP28 | FAN8047G3_NL.pdf | |
![]() | BI664A-1003A | BI664A-1003A BI SMD or Through Hole | BI664A-1003A.pdf | |
![]() | X5165S8Z-2.7 | X5165S8Z-2.7 intersil SOP8 | X5165S8Z-2.7.pdf | |
![]() | JM38510/33702BEB | JM38510/33702BEB ORIGINAL DIP-16 | JM38510/33702BEB.pdf | |
![]() | UPD4218165LG5-A70 | UPD4218165LG5-A70 NEC SMD or Through Hole | UPD4218165LG5-A70.pdf | |
![]() | 1-5747150-4 | 1-5747150-4 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1-5747150-4.pdf |