창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR60060CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR60045CT ~ 600100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 300A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR60060CTGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR60060CT | |
관련 링크 | MBR600, MBR60060CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
RNF12FTD200K | RES 200K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD200K.pdf | ||
BLF6G20-75,112 | BLF6G20-75,112 PHI SOT502 | BLF6G20-75,112.pdf | ||
TOPDIF C0035 | TOPDIF C0035 PHILIPS SMD or Through Hole | TOPDIF C0035.pdf | ||
86146-1590 | 86146-1590 MOLEXINC MOL | 86146-1590.pdf | ||
BTA140-5800 | BTA140-5800 NXP TO-220 | BTA140-5800.pdf | ||
65709-4R7 | 65709-4R7 OHMITE SMD or Through Hole | 65709-4R7.pdf | ||
XC2V3000-5FF1152C-0785 | XC2V3000-5FF1152C-0785 XILINX SMD or Through Hole | XC2V3000-5FF1152C-0785.pdf | ||
SW-1 0.1RJ | SW-1 0.1RJ ORIGINAL SMD or Through Hole | SW-1 0.1RJ.pdf | ||
G15N60R=======FSC | G15N60R=======FSC FSC TO-3P | G15N60R=======FSC.pdf | ||
TD44300S02 | TD44300S02 POWER SOP-20 | TD44300S02.pdf | ||
MT4C16270TG-8 | MT4C16270TG-8 MICRON TSOP | MT4C16270TG-8.pdf | ||
SG636SCE | SG636SCE SEIKO SMD or Through Hole | SG636SCE.pdf |