창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR60035CTL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR60035CT(R)L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 300A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 35V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR60035CTL | |
관련 링크 | MBR600, MBR60035CTL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SCRH64-330 | 33µH Shielded Inductor 1.05A 330 mOhm Max Nonstandard | SCRH64-330.pdf | |
![]() | CR1206-FX-5113ELF | RES SMD 511K OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-5113ELF.pdf | |
![]() | MCT06030D7150BP500 | RES SMD 715 OHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D7150BP500.pdf | |
![]() | K652 | K652 NEC TO-92S | K652.pdf | |
![]() | RE5VT15CA-TZ | RE5VT15CA-TZ RICOH SMD or Through Hole | RE5VT15CA-TZ.pdf | |
![]() | TLFGE1008A(T04)/(T05) | TLFGE1008A(T04)/(T05) TOSHIBA 16 L) 0.8(W) 0.6(H)( | TLFGE1008A(T04)/(T05).pdf | |
![]() | ST24E256M6 | ST24E256M6 ST SOP8 | ST24E256M6.pdf | |
![]() | AYF331335 | AYF331335 ORIGINAL SMD or Through Hole | AYF331335.pdf | |
![]() | TB6548FG | TB6548FG ORIGINAL SMD or Through Hole | TB6548FG.pdf | |
![]() | GMT-3/8 | GMT-3/8 Bussmann SMD or Through Hole | GMT-3/8.pdf | |
![]() | MBM29LV800TE0PFTN | MBM29LV800TE0PFTN FUJITSU SOP | MBM29LV800TE0PFTN.pdf | |
![]() | LLQ2012-F12NJ | LLQ2012-F12NJ TOKO SMD or Through Hole | LLQ2012-F12NJ.pdf |