창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60030CTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60030CT(R)L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 30V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60030CTRL | |
| 관련 링크 | MBR6003, MBR60030CTRL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1808Y471KBFAT4X | 470pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808Y471KBFAT4X.pdf | |
![]() | CEP1311 | Unshielded Inductor 10-SMD | CEP1311.pdf | |
![]() | CRGV2010F6M34 | RES SMD 6.34M OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F6M34.pdf | |
![]() | RNF14FAD5M76-1K | RES 5.76M OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FAD5M76-1K.pdf | |
![]() | HM6265LWM-90 | HM6265LWM-90 HITACHI DIP28 | HM6265LWM-90.pdf | |
![]() | MSTBA2,5/7-G-5,08 | MSTBA2,5/7-G-5,08 ORIGINAL SMD or Through Hole | MSTBA2,5/7-G-5,08.pdf | |
![]() | 74ALVC164245DLG4 | 74ALVC164245DLG4 TI SSOP48 | 74ALVC164245DLG4.pdf | |
![]() | 15FXS-RSM1-TF | 15FXS-RSM1-TF JST SMD or Through Hole | 15FXS-RSM1-TF.pdf | |
![]() | AZ850P1-5 | AZ850P1-5 ZETTLER SMD or Through Hole | AZ850P1-5.pdf | |
![]() | 2MBI300NT-140 | 2MBI300NT-140 FUJI SMD or Through Hole | 2MBI300NT-140.pdf | |
![]() | NJU7008F3-TE1TR | NJU7008F3-TE1TR JRC SMD or Through Hole | NJU7008F3-TE1TR.pdf | |
![]() | AXK738247G | AXK738247G nais SMD or Through Hole | AXK738247G.pdf |