창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60030CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60020CT thru MBR60040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR60030CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60030CTR | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60030CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 4232R-221F | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 442mA 680 mOhm Max 2-SMD | 4232R-221F.pdf | |
![]() | YC358LJK-0756RL | RES ARRAY 8 RES 56 OHM 2512 | YC358LJK-0756RL.pdf | |
![]() | MMSZ5254B-K4 | MMSZ5254B-K4 ON SOT-23 | MMSZ5254B-K4.pdf | |
![]() | 220UF/6 | 220UF/6 ORIGINAL D | 220UF/6.pdf | |
![]() | HFC-2520C-100K | HFC-2520C-100K ORIGINAL SMD or Through Hole | HFC-2520C-100K.pdf | |
![]() | ELJFA151JF | ELJFA151JF PANASONIC SMD | ELJFA151JF.pdf | |
![]() | VY22549-Q427GYY | VY22549-Q427GYY PHI SMD or Through Hole | VY22549-Q427GYY.pdf | |
![]() | RTM501744/02 | RTM501744/02 Major SMD or Through Hole | RTM501744/02.pdf | |
![]() | 7C254-45WC | 7C254-45WC ANALOG PLCC20 | 7C254-45WC.pdf | |
![]() | IRF15U20DN | IRF15U20DN FSC TO-220 | IRF15U20DN.pdf | |
![]() | 71V3557S75PF | 71V3557S75PF IDT SMD or Through Hole | 71V3557S75PF.pdf |