창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR60020CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR60020CT thru MBR60040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR60020CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR60020CT | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR60020CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F26035ATT | 26MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26035ATT.pdf | |
![]() | 7C25002005 | 25MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | 7C25002005.pdf | |
![]() | YC248-FR-07196KL | RES ARRAY 8 RES 196K OHM 1606 | YC248-FR-07196KL.pdf | |
![]() | CA000218R00KB12 | RES 18 OHM 2W 10% AXIAL | CA000218R00KB12.pdf | |
![]() | HI1-20I-5 | HI1-20I-5 HAR DIP | HI1-20I-5.pdf | |
![]() | GRM319R71C333K | GRM319R71C333K murata SMD | GRM319R71C333K.pdf | |
![]() | PF2010FKM7W0R006Z | PF2010FKM7W0R006Z YAGEO SMD | PF2010FKM7W0R006Z.pdf | |
![]() | 1206B223J500NT | 1206B223J500NT FH/ 1206SMD | 1206B223J500NT.pdf | |
![]() | 6400-0004-901(F711014GFT) | 6400-0004-901(F711014GFT) STINGER BGA | 6400-0004-901(F711014GFT).pdf | |
![]() | K1007-01 | K1007-01 FUJI TO-220AB | K1007-01.pdf | |
![]() | 7805s | 7805s ORIGINAL SOT-223 | 7805s.pdf |