창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR600150CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR600150CT thru MBR600200CTR | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 300A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 150V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR600150CTR | |
관련 링크 | MBR6001, MBR600150CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
MCA12060D8669BP100 | RES SMD 86.6 OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D8669BP100.pdf | ||
PAT0603E84R5BST1 | RES SMD 84.5 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E84R5BST1.pdf | ||
6473297F16V | 6473297F16V ORIGINAL SMD | 6473297F16V.pdf | ||
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GSIA-T | GSIA-T ORIGINAL SMD or Through Hole | GSIA-T.pdf | ||
TACK335K003QTA | TACK335K003QTA AVX SMD | TACK335K003QTA.pdf | ||
CL8820A-P160 | CL8820A-P160 ORIGINAL QFP | CL8820A-P160.pdf | ||
24LC01B/CN | 24LC01B/CN ORIGINAL SOP8 | 24LC01B/CN.pdf | ||
GRM43DR3A333KW01L 1000V | GRM43DR3A333KW01L 1000V MURATA SMD or Through Hole | GRM43DR3A333KW01L 1000V.pdf | ||
3SMAJ5938BTP | 3SMAJ5938BTP MCC DO-214AC | 3SMAJ5938BTP.pdf | ||
SRA-1MH+ | SRA-1MH+ MINI NA | SRA-1MH+.pdf |