창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40080CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40045CT thru MBR400100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR40080CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40080CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40080CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 250R05L0R6BV4T | 0.60pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 250R05L0R6BV4T.pdf | |
![]() | 12101U8R2BAT2A | 8.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12101U8R2BAT2A.pdf | |
![]() | 445W35S20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35S20M00000.pdf | |
![]() | YNWMAX153 | 153.6MHz CMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable | YNWMAX153.pdf | |
![]() | 7448640405 | 33mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 300mA DCR 2 Ohm (Typ) | 7448640405.pdf | |
![]() | NJU7015V | NJU7015V JRC SMD or Through Hole | NJU7015V.pdf | |
![]() | LTC2611IDD-1 | LTC2611IDD-1 LINEAR QFN-10 | LTC2611IDD-1.pdf | |
![]() | TMS320DM6435ZDUQ5 | TMS320DM6435ZDUQ5 TI BGA376 | TMS320DM6435ZDUQ5.pdf | |
![]() | TAP106MO50SCS | TAP106MO50SCS AVX DIP | TAP106MO50SCS.pdf | |
![]() | TD106N | TD106N INFINEON MODULE | TD106N.pdf | |
![]() | DG4BDY | DG4BDY SI SOP-8 | DG4BDY.pdf | |
![]() | SM209N2 | SM209N2 ORIGINAL DIP40 | SM209N2.pdf |