창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40060CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40045CT thru MBR400100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR40060CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40060CTR | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40060CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F380X2ADT | 38MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380X2ADT.pdf | |
![]() | SIT8009BC-71-XXE-125.000000E | OSC XO 125MHZ OE | SIT8009BC-71-XXE-125.000000E.pdf | |
![]() | 8121G SOT-23 T/R | 8121G SOT-23 T/R UTC SMD or Through Hole | 8121G SOT-23 T/R.pdf | |
![]() | XC3190APQ160-1C | XC3190APQ160-1C XILINH QFP | XC3190APQ160-1C.pdf | |
![]() | M83513/04-H04C | M83513/04-H04C NULL NULL | M83513/04-H04C.pdf | |
![]() | MSM7654GAE03A | MSM7654GAE03A OKI QFP | MSM7654GAE03A.pdf | |
![]() | YC164-JR-072K2 | YC164-JR-072K2 VITROHM SMD or Through Hole | YC164-JR-072K2.pdf | |
![]() | 1008CS-101XGLC | 1008CS-101XGLC ORIGINAL SMD or Through Hole | 1008CS-101XGLC.pdf | |
![]() | RB051L-40Y | RB051L-40Y ROHM SMA | RB051L-40Y.pdf | |
![]() | NF-7050-610I | NF-7050-610I ORIGINAL SMD or Through Hole | NF-7050-610I.pdf | |
![]() | MME001-012 | MME001-012 ORIGINAL QFP | MME001-012.pdf | |
![]() | 7999-88041-2330300 | 7999-88041-2330300 MURR SMD or Through Hole | 7999-88041-2330300.pdf |