창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR40045CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR40045CT thru MBR400100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 200A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR40045CTGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR40045CT | |
관련 링크 | MBR400, MBR40045CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | S1008R-472G | 4.7µH Shielded Inductor 305mA 1.2 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | S1008R-472G.pdf | |
![]() | 2420439CB281H | 2420439CB281H molex SMD or Through Hole | 2420439CB281H.pdf | |
![]() | PD410P1 | PD410P1 SHARP SMD or Through Hole | PD410P1.pdf | |
![]() | MN101E04GAH | MN101E04GAH Panasonic QFP | MN101E04GAH.pdf | |
![]() | 338S0413 | 338S0413 APPLE SMD or Through Hole | 338S0413.pdf | |
![]() | SZ(6.0)B-ZR-SM3-TF | SZ(6.0)B-ZR-SM3-TF JST SMD or Through Hole | SZ(6.0)B-ZR-SM3-TF.pdf | |
![]() | MX92U6166ZC | MX92U6166ZC MX QFN-48P | MX92U6166ZC.pdf | |
![]() | 365796 | 365796 AMP SOP | 365796.pdf | |
![]() | SN75553 | SN75553 TI PLCC44 | SN75553.pdf | |
![]() | BSP171P-L6327 | BSP171P-L6327 INFINEON TO-223 | BSP171P-L6327.pdf | |
![]() | 2SK854-Z | 2SK854-Z NEC TO-263 | 2SK854-Z.pdf |