창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR400100CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40045CT thru MBR400100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1242-1022 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR400100CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR400100CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AHA227M50G24T-F | 220µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 900 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | AHA227M50G24T-F.pdf | |
![]() | ELXS451VSN271MA30S | 270µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | ELXS451VSN271MA30S.pdf | |
![]() | OP166D | Infrared (IR) Emitter 935nm 1.6V 50mA 0.28mW/cm² @ 20mA 18° T-1 | OP166D.pdf | |
![]() | ENE3067A/122.88MHZ ENE3067A | ENE3067A/122.88MHZ ENE3067A NDK SMD or Through Hole | ENE3067A/122.88MHZ ENE3067A.pdf | |
![]() | PTV10B-E3/84A | PTV10B-E3/84A VISHAY SMD or Through Hole | PTV10B-E3/84A.pdf | |
![]() | CC50V152M | CC50V152M STTH SMD or Through Hole | CC50V152M.pdf | |
![]() | SI6562DQ-T1-GE3 | SI6562DQ-T1-GE3 VISHAY TSSOP-8 | SI6562DQ-T1-GE3.pdf | |
![]() | P8082-11P | P8082-11P CONEXANT TQFP | P8082-11P.pdf | |
![]() | 26FMN-BMTTN-A-TF | 26FMN-BMTTN-A-TF JST SMD | 26FMN-BMTTN-A-TF.pdf | |
![]() | R5F21112FP | R5F21112FP RENESAS SMD or Through Hole | R5F21112FP.pdf | |
![]() | MB4713 | MB4713 ORIGINAL DIP22 | MB4713.pdf | |
![]() | HM5212805FTD-A60 | HM5212805FTD-A60 HIT SMD or Through Hole | HM5212805FTD-A60.pdf |