창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR300100CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR30045CT ~ 300100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 150A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 8mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR300100CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR300100CTR | |
| 관련 링크 | MBR3001, MBR300100CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FXO-HC738-50.004 | 50.004MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC738-50.004.pdf | |
![]() | PTN1206E4221BST1 | RES SMD 4.22K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E4221BST1.pdf | |
![]() | OS-RXL-3 | SLIT MASK 3.5X24MM FOR RX-LS200 | OS-RXL-3.pdf | |
![]() | GL827-MNG | GL827-MNG GENESYS QFP | GL827-MNG.pdf | |
![]() | HA16805F-EL | HA16805F-EL HD SO-8 | HA16805F-EL.pdf | |
![]() | M2563A-OYSM | M2563A-OYSM ORIGINAL SSOP | M2563A-OYSM.pdf | |
![]() | LEWWS56P55GZ01 | LEWWS56P55GZ01 LGIT SMD or Through Hole | LEWWS56P55GZ01.pdf | |
![]() | 74AVCM162834DGG,11 | 74AVCM162834DGG,11 NXPSemiconductors 56-TSSOP | 74AVCM162834DGG,11.pdf | |
![]() | PT6501A | PT6501A ORIGINAL SMD or Through Hole | PT6501A.pdf | |
![]() | RPEE41H224M3S2C03A | RPEE41H224M3S2C03A ORIGINAL SMD or Through Hole | RPEE41H224M3S2C03A.pdf | |
![]() | LA1363 | LA1363 SANYO DIP | LA1363.pdf | |
![]() | SMR41090 | SMR41090 ORIGINAL DIP | SMR41090.pdf |