창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR2X120A100 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR2X120A100 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 120A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 100V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR2X120A100 | |
관련 링크 | MBR2X12, MBR2X120A100 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | FGB40N60SM | IGBT 600V 80A 349W D2PAK | FGB40N60SM.pdf | |
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![]() | BA5835PM | BA5835PM ROHM SOP-8 | BA5835PM.pdf | |
![]() | NP1E226M05011BB180 | NP1E226M05011BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | NP1E226M05011BB180.pdf | |
![]() | MB88552PF-G-730-BND-R | MB88552PF-G-730-BND-R FUJI QFP-80 | MB88552PF-G-730-BND-R.pdf | |
![]() | L5025A | L5025A NS TSSOP-16 | L5025A.pdf | |
![]() | 0117805PT3F | 0117805PT3F Q SMD or Through Hole | 0117805PT3F.pdf | |
![]() | CI201209B2R7K(0805-2.7UH) | CI201209B2R7K(0805-2.7UH) ZHF SMD or Through Hole | CI201209B2R7K(0805-2.7UH).pdf |