창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR2X100A045 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR2X100A045 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 45V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR2X100A045 | |
| 관련 링크 | MBR2X10, MBR2X100A045 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
| AA-8.000MAME-T | 8MHz ±30ppm 수정 12pF 150옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AA-8.000MAME-T.pdf | ||
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![]() | ES1948F | ES1948F ESS PQFP | ES1948F.pdf | |
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![]() | SE00TVW25 | SE00TVW25 AMPHENOL SMD or Through Hole | SE00TVW25.pdf | |
![]() | RTM501606/03 | RTM501606/03 TOKYO SMD or Through Hole | RTM501606/03.pdf | |
![]() | TTC13003LE6F(M | TTC13003LE6F(M TOSHIBA SMD or Through Hole | TTC13003LE6F(M.pdf | |
![]() | EPR211A084 | EPR211A084 ECE DIPSOP | EPR211A084.pdf | |
![]() | OR2C26A3BA352IDB | OR2C26A3BA352IDB LUC SMD or Through Hole | OR2C26A3BA352IDB.pdf | |
![]() | LT1693AEQ | LT1693AEQ ORIGINAL TO-263-5 | LT1693AEQ .pdf | |
![]() | NNCD10C-T1-A | NNCD10C-T1-A NEC SC-78 | NNCD10C-T1-A.pdf | |
![]() | IS916AQ05_D | IS916AQ05_D OTHERS RS.X | IS916AQ05_D.pdf |