창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR2X050A080 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR2X050A080 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 50A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 50A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 80V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR2X050A080 | |
| 관련 링크 | MBR2X05, MBR2X050A080 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 2N4392-2 | MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 | 2N4392-2.pdf | |
![]() | H439K2BYA | RES 39.2K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H439K2BYA.pdf | |
![]() | TMCMB0J226MTR | TMCMB0J226MTR ORIGINAL SMD | TMCMB0J226MTR.pdf | |
![]() | ENV56D07G3 | ENV56D07G3 ORIGINAL SMD or Through Hole | ENV56D07G3.pdf | |
![]() | TUF-2SM | TUF-2SM MINI SMD or Through Hole | TUF-2SM.pdf | |
![]() | DM74367N/DM8097N | DM74367N/DM8097N NSC DIP | DM74367N/DM8097N.pdf | |
![]() | MBR30H45PT | MBR30H45PT VISHAY TO-3P | MBR30H45PT.pdf | |
![]() | MCI1608HQ1N5S | MCI1608HQ1N5S ORIGINAL 0603L | MCI1608HQ1N5S.pdf | |
![]() | ASP-120022-01 | ASP-120022-01 SAMTECINC SMD or Through Hole | ASP-120022-01.pdf | |
![]() | LTV817S-TP-B | LTV817S-TP-B ORIGINAL SOP4 | LTV817S-TP-B.pdf | |
![]() | B45196E5225M20* | B45196E5225M20* EPCOS SMD or Through Hole | B45196E5225M20*.pdf | |
![]() | 28.000000MHZ | 28.000000MHZ HOSONIC SMD or Through Hole | 28.000000MHZ.pdf |