홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 다이오드, 정류기 - 단일 » MBR2H200SFT3G

ON Semiconductor MBR2H200SFT3G

MBR2H200SFT3G
제조업체 부품 번호
MBR2H200SFT3G
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 단일
간단한 설명
DIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FL
데이터 시트 다운로드
다운로드
MBR2H200SFT3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 59.93755
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MBR2H200SFT3G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MBR2H200SFT3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MBR2H200SFT3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MBR2H200SFT3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MBR2H200SFT3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MBR2H200SFT3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MBR2H200SFT3G
PCN 설계/사양Mold Compound/Lead Frame Chg 21/Jul/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
다이오드 유형쇼트키
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)200V
전류 -평균 정류(Io)2A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If940mV @ 2A
속도고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)-
전류 - 역누설 @ Vr200µA @ 200V
정전 용량 @ Vr, F-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOD-123F
공급 장치 패키지SOD-123FL
작동 온도 - 접합-55°C ~ 150°C
표준 포장 10,000
다른 이름MBR2H200SFT3G-ND
MBR2H200SFT3GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MBR2H200SFT3G
관련 링크MBR2H20, MBR2H200SFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MBR2H200SFT3G 의 관련 제품
200mF Supercap 2.5V Coin 100 Ohm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.268" Dia (6.80mm) DC-2R5D204T614.pdf
RES SMD 46.4K OHM 0.1% 1/8W 0805 AT0805BRD0746K4L.pdf
88223-0200 ACES SMD or Through Hole 88223-0200.pdf
SC1025CV ORIGINAL PLCC-44 SC1025CV.pdf
K6R1008VID-JC10 SAMSUNG SMD K6R1008VID-JC10.pdf
XCMECH-FFG1148 XILINX SMD or Through Hole XCMECH-FFG1148.pdf
930FMQB ORIGINAL SMD or Through Hole 930FMQB.pdf
UPD28F002GZ-12TLJH NEC TSOP40 UPD28F002GZ-12TLJH.pdf
SCX6206RZX NS DIP SCX6206RZX.pdf
P4SSMJ9.1CA SIRECT SMA P4SSMJ9.1CA.pdf