창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR20080CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR20045CT ~ 200100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR20080CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR20080CT | |
| 관련 링크 | MBR200, MBR20080CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ASV-29.4912MHZ-EJ-T | 29.4912MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | ASV-29.4912MHZ-EJ-T.pdf | |
![]() | ZXMHC3A01T8TA | MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 | ZXMHC3A01T8TA.pdf | |
![]() | RR0816P-4120-D-60A | RES SMD 412 OHM 0.5% 1/16W 0603 | RR0816P-4120-D-60A.pdf | |
![]() | RG3216N-4323-W-T1 | RES SMD 432K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-4323-W-T1.pdf | |
![]() | TL062CDG4 | TL062CDG4 TI&BB SOIC8 | TL062CDG4.pdf | |
![]() | CA3070E | CA3070E HARRIS DIP | CA3070E.pdf | |
![]() | M306H7RLE | M306H7RLE ORIGINAL QFP | M306H7RLE.pdf | |
![]() | 1N5341C | 1N5341C MSC SMD or Through Hole | 1N5341C.pdf | |
![]() | SLM-13MWF97 | SLM-13MWF97 ROHM SMD( ) | SLM-13MWF97.pdf | |
![]() | 54S155DMQB | 54S155DMQB NS CDIP | 54S155DMQB.pdf |