창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR20060CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR20045CT ~ 200100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR20060CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR20060CTR | |
| 관련 링크 | MBR200, MBR20060CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DTA144EETL | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 | DTA144EETL.pdf | |
![]() | CRGS0603J27K | RES SMD 27K OHM 5% 1/4W 0603 | CRGS0603J27K.pdf | |
![]() | PPT2-0300DXK2VS | Pressure Sensor ±300 PSI (±2068.43 kPa) Differential Female - 1/8" (3.18mm) Swagelok™, Male - 1/8" (3.18mm) Swagelok™ 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT2-0300DXK2VS.pdf | |
![]() | SBC9-472-181 | SBC9-472-181 SBC DIP | SBC9-472-181.pdf | |
![]() | JZ4.436M | JZ4.436M NIC NULL | JZ4.436M.pdf | |
![]() | UDQ2588R-1 | UDQ2588R-1 ALLEGRO DIP | UDQ2588R-1.pdf | |
![]() | LM3671TL-ADJ NOPB | LM3671TL-ADJ NOPB NS SMD or Through Hole | LM3671TL-ADJ NOPB.pdf | |
![]() | 160VXR270M22X25 | 160VXR270M22X25 RUBYCON DIP | 160VXR270M22X25.pdf | |
![]() | LXT9761HC | LXT9761HC ORIGINAL SMD or Through Hole | LXT9761HC.pdf | |
![]() | CC75CG111J | CC75CG111J KEMET DIP | CC75CG111J.pdf | |
![]() | DSD015(A8) | DSD015(A8) SANYO SOT-23 | DSD015(A8).pdf |