창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR20045CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR20045CT ~ 200100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR20045CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR20045CT | |
| 관련 링크 | MBR200, MBR20045CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1E8R0BA01J | 8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E8R0BA01J.pdf | |
![]() | RCH110NP-560K | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 2.3A 92 mOhm Max Radial | RCH110NP-560K.pdf | |
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![]() | LS153C1030 B2 | LS153C1030 B2 LSI BGA | LS153C1030 B2.pdf | |
![]() | 0402 4.7M J | 0402 4.7M J TASUND SMD or Through Hole | 0402 4.7M J.pdf | |
![]() | G331J17COGFVVWA | G331J17COGFVVWA PHI SMD or Through Hole | G331J17COGFVVWA.pdf | |
![]() | BZV49-C22 22V | BZV49-C22 22V PHILIPS SOT-89 | BZV49-C22 22V.pdf | |
![]() | 84981-6 | 84981-6 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 84981-6.pdf |