창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR20045CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR20045CT ~ 200100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR20045CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR20045CT | |
| 관련 링크 | MBR200, MBR20045CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RCL061223R2FKEA | RES SMD 23.2 OHM 1/2W 1206 WIDE | RCL061223R2FKEA.pdf | |
![]() | Y14880R01000B0R | RES SMD 0.01 OHM 0.1% 3W 3637 | Y14880R01000B0R.pdf | |
![]() | CMF50154K00BHEK | RES 154K OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF50154K00BHEK.pdf | |
![]() | 10K/0.5W/5% | 10K/0.5W/5% N/A SMD or Through Hole | 10K/0.5W/5%.pdf | |
![]() | SN7474DR | SN7474DR TI SOP | SN7474DR.pdf | |
![]() | ILQ616-4 | ILQ616-4 VISHAY DIP16 | ILQ616-4.pdf | |
![]() | IN6292A | IN6292A VISHAY SMD or Through Hole | IN6292A.pdf | |
![]() | BF2520-B2R4CABT | BF2520-B2R4CABT ACX SMD or Through Hole | BF2520-B2R4CABT.pdf | |
![]() | 2SJ290 | 2SJ290 HITACHI TO-220 | 2SJ290.pdf | |
![]() | TC110A | TC110A JDQ SMD or Through Hole | TC110A.pdf | |
![]() | M27C100120F6 | M27C100120F6 SGS CDIP W | M27C100120F6.pdf | |
![]() | MA50516.667MHZG0 | MA50516.667MHZG0 EPSON SMD or Through Hole | MA50516.667MHZG0.pdf |