창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR1635G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR(B)16x5, NRVBB1645 | |
카탈로그 페이지 | 1563 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | SWITCHMODE™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
전류 -평균 정류(Io) | 16A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 630mV @ 16A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 35V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-2 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-2 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | MBR1635GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR1635G | |
관련 링크 | MBR1, MBR1635G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
IMC1210SY18NM | 18nH Unshielded Wirewound Inductor 624mA 180 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210SY18NM.pdf | ||
CRCW060360K4DHEAP | RES SMD 60.4KOHM 0.5% 1/10W 0603 | CRCW060360K4DHEAP.pdf | ||
MBB02070C3651DRP00 | RES 3.65K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C3651DRP00.pdf | ||
B43750A4278M003 | B43750A4278M003 EPCOS DIP | B43750A4278M003.pdf | ||
RD1/2SPH 3.3M K | RD1/2SPH 3.3M K RIVER N A | RD1/2SPH 3.3M K.pdf | ||
AT6010H-2QI | AT6010H-2QI Atmel 240-PQFP | AT6010H-2QI.pdf | ||
BCM5615RA1KB-P11 | BCM5615RA1KB-P11 BROADCOM BGA | BCM5615RA1KB-P11.pdf | ||
CY20AAH8F | CY20AAH8F RENESAS SMD or Through Hole | CY20AAH8F.pdf | ||
SMV1212001 | SMV1212001 SKYWK SMD or Through Hole | SMV1212001.pdf | ||
QXJ2J473KT | QXJ2J473KT Nichicon SMD or Through Hole | QXJ2J473KT.pdf | ||
MSD1260-223MLD | MSD1260-223MLD COILCRAFT SMD | MSD1260-223MLD.pdf | ||
P8741 | P8741 INTEL DIP | P8741.pdf |