창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR12060CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR12045CT thru MBR120100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 60A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | 1242-1083 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR12060CTR | |
관련 링크 | MBR120, MBR12060CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CM309S33.8688MABJTR | 33.8688MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | CM309S33.8688MABJTR.pdf | |
![]() | VLMF31Q2T1-GS08 | Orange 605nm LED Indication - Discrete 2V 2-SMD, J-Lead | VLMF31Q2T1-GS08.pdf | |
![]() | RL2008-52.3K-155-D1 | NTC Thermistor 100k Disc, 5.6mm Dia x 4.3mm W | RL2008-52.3K-155-D1.pdf | |
![]() | LB1213. | LB1213. SANYO DIP16 | LB1213..pdf | |
![]() | PC923LONSZOF(p/b) | PC923LONSZOF(p/b) SHARP DIP-8 | PC923LONSZOF(p/b).pdf | |
![]() | CPA-1001-56HSR | CPA-1001-56HSR RFMD SMD or Through Hole | CPA-1001-56HSR.pdf | |
![]() | 330NF50VZ5UM | 330NF50VZ5UM VTR 1206 | 330NF50VZ5UM.pdf | |
![]() | 6DI30MS-050 | 6DI30MS-050 FUJI SMD or Through Hole | 6DI30MS-050.pdf | |
![]() | LMV844QMA/NOPB | LMV844QMA/NOPB NSC SMD or Through Hole | LMV844QMA/NOPB.pdf | |
![]() | DN6852-A | DN6852-A PANASONIC SMD or Through Hole | DN6852-A.pdf | |
![]() | TA8162N | TA8162N TOSIHBA SIP | TA8162N.pdf | |
![]() | AT89C51-24PC+A333 | AT89C51-24PC+A333 AT DIP | AT89C51-24PC+A333.pdf |