창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR12045CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR12045CT thru MBR120100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1242-1068 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR12045CTR | |
| 관련 링크 | MBR120, MBR12045CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | UPB201209T-260Y-N | UPB201209T-260Y-N chilisin SMD | UPB201209T-260Y-N.pdf | |
|  | MAX209ENG+ | MAX209ENG+ MAXIM DIP24 | MAX209ENG+.pdf | |
|  | C2012Y5V1E334ZTOOOA | C2012Y5V1E334ZTOOOA TDK SMD or Through Hole | C2012Y5V1E334ZTOOOA.pdf | |
|  | TSL0808RA-330K1R4 | TSL0808RA-330K1R4 TDK ORIGINAL | TSL0808RA-330K1R4.pdf | |
|  | 82C32L-AF5-R | 82C32L-AF5-R UTC SOT23-5 | 82C32L-AF5-R.pdf | |
|  | NBS16J2-221 | NBS16J2-221 ORIGINAL SOP16S | NBS16J2-221.pdf | |
|  | 1.5KE400CA/23 | 1.5KE400CA/23 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1.5KE400CA/23.pdf | |
|  | 79R465-100 | 79R465-100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 79R465-100.pdf | |
|  | AT25128A-10PI-5.0 | AT25128A-10PI-5.0 ATMEL SMD or Through Hole | AT25128A-10PI-5.0.pdf | |
|  | R2O-6V103MJ7 | R2O-6V103MJ7 ELNA DIP | R2O-6V103MJ7.pdf | |
|  | 076-106449 | 076-106449 HARRIS SMD or Through Hole | 076-106449.pdf | |
|  | 2SA1016KF | 2SA1016KF SANYO SMD or Through Hole | 2SA1016KF.pdf |