창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR12040CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR12020CT thru MBR12040CTR D-67 (Half Pak) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 120A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1242-1024 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR12040CT | |
| 관련 링크 | MBR120, MBR12040CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MM3Z6V8T1G | DIODE ZENER 6.8V 300MW SOD323 | MM3Z6V8T1G.pdf | |
| CDR6D23MNNP-2R7NC | 2.7µH Shielded Inductor 2.38A 40 mOhm Max Nonstandard | CDR6D23MNNP-2R7NC.pdf | ||
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![]() | S/N3268 | S/N3268 ORIGINAL DIP | S/N3268.pdf | |
![]() | TEMSVA0A106M8R | TEMSVA0A106M8R NEC SMD | TEMSVA0A106M8R.pdf |