창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR12030CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR12020CT thru MBR12040CTR D-67 (Half Pak) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 60A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1242-1090 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR12030CT | |
| 관련 링크 | MBR120, MBR12030CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SPD73-122M | 1.2µH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 20 mOhm Max Nonstandard | SPD73-122M.pdf | |
![]() | AT0805DRD07150RL | RES SMD 150 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRD07150RL.pdf | |
![]() | RT1210BRD074K22L | RES SMD 4.22K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD074K22L.pdf | |
![]() | PAC100007507FA1000 | RES 0.75 OHM 1W 1% AXIAL | PAC100007507FA1000.pdf | |
![]() | ISM43362-M3G-L44-E-SPI-C2.4.0.2 | RF TXRX MODULE WIFI TRACE ANT | ISM43362-M3G-L44-E-SPI-C2.4.0.2.pdf | |
![]() | HLMP3850AA4R0 | HLMP3850AA4R0 FAIRCHILD ROHS | HLMP3850AA4R0.pdf | |
![]() | 3362S-2K | 3362S-2K BOURNS SMD or Through Hole | 3362S-2K.pdf | |
![]() | ltc8043fs8-pbf | ltc8043fs8-pbf ltc SMD or Through Hole | ltc8043fs8-pbf.pdf | |
![]() | MC68EZ328FV20 | MC68EZ328FV20 MOTOROLA BGA | MC68EZ328FV20.pdf | |
![]() | USV1C100MFD1TD | USV1C100MFD1TD NICHICON DIP | USV1C100MFD1TD.pdf | |
![]() | RE2-35V331M | RE2-35V331M ELN SMD or Through Hole | RE2-35V331M.pdf | |
![]() | 1226AS-H-100M | 1226AS-H-100M TOKO SMD | 1226AS-H-100M.pdf |