창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR1100RLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR1100 | |
| 카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 790mV @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | MBR1100RLGOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR1100RLG | |
| 관련 링크 | MBR110, MBR1100RLG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C330C682J1G5TA | 6800pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | C330C682J1G5TA.pdf | |
![]() | 1206CC153KAJ1A | 0.015µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206CC153KAJ1A.pdf | |
![]() | DDB-DJS-RS2-1 | DDB-DJS-RS2-1 dominant PB-FREE | DDB-DJS-RS2-1.pdf | |
![]() | 7810800670D | 7810800670D PHOENIX SMD or Through Hole | 7810800670D.pdf | |
![]() | R-12 U786EC | R-12 U786EC MITSUMI 5.65.6 | R-12 U786EC.pdf | |
![]() | AM4FC020X | AM4FC020X ALPHA DICE | AM4FC020X.pdf | |
![]() | RJ4-25V682MK8 | RJ4-25V682MK8 ELNA DIP | RJ4-25V682MK8.pdf | |
![]() | LTC3603IUF#PBF | LTC3603IUF#PBF LINEAR QFN | LTC3603IUF#PBF.pdf | |
![]() | SM5520TEV-12.288M | SM5520TEV-12.288M PLETRONICS SMD | SM5520TEV-12.288M.pdf | |
![]() | CS8212 | CS8212 CHIPSTAR QFN20 | CS8212.pdf | |
![]() | PCA82C250T/NXP | PCA82C250T/NXP NXP SMD or Through Hole | PCA82C250T/NXP.pdf |