창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-MBN200GS12AW | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | MBN200GS12AW | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | MBN200GS12AW | |
관련 링크 | MBN200G, MBN200GS12AW 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | C5750X5R1A107M280KC | 100µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | C5750X5R1A107M280KC.pdf | |
![]() | 600S4R7BT250XT | 4.7pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 600S4R7BT250XT.pdf | |
![]() | CM309A66.6666MABJT | 66.6666MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SOJ, 2.85mm 피치 | CM309A66.6666MABJT.pdf | |
![]() | 4302R-123H | 12µH Unshielded Inductor 140mA 7.5 Ohm Max 2-SMD | 4302R-123H.pdf | |
![]() | Y001150R0000B0L | RES 50 OHM 1W 0.1% RADIAL | Y001150R0000B0L.pdf | |
![]() | RPI-243C1 | RPI-243C1 ROHM DIP | RPI-243C1.pdf | |
![]() | 9537J | 9537J ORIGINAL DIP14 | 9537J.pdf | |
![]() | MB91FV310A | MB91FV310A FUJI TQFP14 | MB91FV310A.pdf | |
![]() | F211BD124M250C | F211BD124M250C KEMET DIP | F211BD124M250C.pdf | |
![]() | NRA685K16R8 | NRA685K16R8 NEC SMD | NRA685K16R8.pdf | |
![]() | 22710V10%C | 22710V10%C avetron SMD or Through Hole | 22710V10%C.pdf | |
![]() | TPS565020EVM-110/T | TPS565020EVM-110/T TI 20-HTSSOP | TPS565020EVM-110/T.pdf |