창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-M88I8030B6-NNC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | M88I8030B6-NNC | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | M88I8030B6-NNC | |
| 관련 링크 | M88I8030, M88I8030B6-NNC 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 16YXH2200MEFCGC18X16 | 2200µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 16YXH2200MEFCGC18X16.pdf | |
![]() | TAJR684M020RNJ | 0.68µF Molded Tantalum Capacitors 20V 0805 (2012 Metric) 20 Ohm 0.081" L x 0.051" W (2.05mm x 1.30mm) | TAJR684M020RNJ.pdf | |
![]() | SIT3821AI-1C-25NY | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 69mA | SIT3821AI-1C-25NY.pdf | |
![]() | NTTFS5116PLTWG | MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN | NTTFS5116PLTWG.pdf | |
![]() | MLG0603P1N3ST000 | 1.3nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 80 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P1N3ST000.pdf | |
![]() | KB835A-B | KB835A-B KINGBRIG SMD or Through Hole | KB835A-B.pdf | |
![]() | UPD6323BC | UPD6323BC NEC DIP | UPD6323BC.pdf | |
![]() | RDED-9P-LN(4-40)(05) | RDED-9P-LN(4-40)(05) ORIGINAL SMD or Through Hole | RDED-9P-LN(4-40)(05).pdf | |
![]() | h01nk5 | h01nk5 anam CUDIP48 | h01nk5.pdf | |
![]() | ST72752J6B1/LIH | ST72752J6B1/LIH ST DIP-42 | ST72752J6B1/LIH.pdf | |
![]() | LSD3GMDSD0014 V2.0 | LSD3GMDSD0014 V2.0 ZX SMD or Through Hole | LSD3GMDSD0014 V2.0.pdf | |
![]() | CL21AA226MQCLRNC | CL21AA226MQCLRNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL21AA226MQCLRNC.pdf |