창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-M30284MC-303HP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | M30284MC-303HP | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP80 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | M30284MC-303HP | |
| 관련 링크 | M30284MC, M30284MC-303HP 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C2A330JA01D | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C2A330JA01D.pdf | |
![]() | 9B-14.7456MBBK-B | 14.7456MHz ±50ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-14.7456MBBK-B.pdf | |
![]() | Y000750K0000F9L | RES 50K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y000750K0000F9L.pdf | |
![]() | BCR3AM--8 | BCR3AM--8 MIT TO-202 | BCR3AM--8.pdf | |
![]() | 1N914BM | 1N914BM TC DO-34 | 1N914BM.pdf | |
![]() | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T2864EH3-CF7 (DDR2/ 1G/ 800/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | RN5VL42AA-TR | RN5VL42AA-TR RICOH SOT-153 | RN5VL42AA-TR.pdf | |
![]() | 70HFL60S02 | 70HFL60S02 VISHAY DO-5 | 70HFL60S02.pdf | |
![]() | BZX84C2V4TA/2.4V | BZX84C2V4TA/2.4V ORIGINAL SOT-23 | BZX84C2V4TA/2.4V.pdf | |
![]() | GTR-S0817 | GTR-S0817 ORIGINAL SMD or Through Hole | GTR-S0817.pdf | |
![]() | MAX811EUSR-T | MAX811EUSR-T MAX SMD or Through Hole | MAX811EUSR-T.pdf | |
![]() | LM317DL | LM317DL ORIGINAL SOT252 | LM317DL.pdf |