창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-M29DW640D90N6E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | M29DW640D90N6E | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | M29DW640D90N6E | |
관련 링크 | M29DW640, M29DW640D90N6E 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D1R3CXBAC | 1.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R3CXBAC.pdf | |
![]() | 1812HC102ZAT1A | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812HC102ZAT1A.pdf | |
![]() | VJ1812A561JBBAT4X | 560pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A561JBBAT4X.pdf | |
![]() | ABM2-22.1184MHZ-D4Y-T | 22.1184MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | ABM2-22.1184MHZ-D4Y-T.pdf | |
![]() | RT1206DRD07100RL | RES SMD 100 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD07100RL.pdf | |
![]() | RCL122516R9FKEG | RES SMD 16.9 OHM 2W 2512 WIDE | RCL122516R9FKEG.pdf | |
![]() | TCO-711JTU | TCO-711JTU EPSON SMD | TCO-711JTU.pdf | |
![]() | 67013-010LF | 67013-010LF FCIELX SMD or Through Hole | 67013-010LF.pdf | |
![]() | SH69P25H-000HR | SH69P25H-000HR ORIGINAL SMD or Through Hole | SH69P25H-000HR.pdf | |
![]() | DR-TRC104-2400-EV | DR-TRC104-2400-EV RFMONOLITHICS SMD or Through Hole | DR-TRC104-2400-EV.pdf | |
![]() | EE-CH-4 | EE-CH-4 TOSHIBA DIP-16 | EE-CH-4.pdf |