창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LXY50VB82RM8X15LL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 2,000 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | United Chemi-Con | |
계열 | LXY | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 82µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 50V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
분극 | - | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 470mA | |
임피던스 | 200m옴 | |
리드 간격 | 0.138"(3.50mm) | |
크기/치수 | 0.315" Dia(8.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.591"(15.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | LXY50VB82RM8X15LL | |
관련 링크 | LXY50VB82R, LXY50VB82RM8X15LL 데이터 시트, United Chemi-Con 에이전트 유통 |
![]() | 9B-16.000MAAE-B | 16MHz ±30ppm 수정 12pF 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-16.000MAAE-B.pdf | |
![]() | 1331R-562J | 5.6µH Shielded Inductor 124mA 2.9 Ohm Max 2-SMD | 1331R-562J.pdf | |
![]() | VCT57G111C DIP-L | VCT57G111C DIP-L ALPS SMD or Through Hole | VCT57G111C DIP-L.pdf | |
![]() | RDER72J682K2 | RDER72J682K2 MURATA SMD or Through Hole | RDER72J682K2.pdf | |
![]() | 37100500000 | 37100500000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 37100500000.pdf | |
![]() | ST1W008S4A | ST1W008S4A ORIGINAL SMD or Through Hole | ST1W008S4A.pdf | |
![]() | M2822 | M2822 ORIGINAL DIP | M2822.pdf | |
![]() | AV2010 | AV2010 AIROHA QFN28 | AV2010.pdf | |
![]() | 215R6MDAEA12G | 215R6MDAEA12G ATI SMD or Through Hole | 215R6MDAEA12G.pdf | |
![]() | 8EWS12TRL | 8EWS12TRL IR TO-252 | 8EWS12TRL.pdf | |
![]() | LLK1J332MHSZ | LLK1J332MHSZ NICHICON DIP | LLK1J332MHSZ.pdf | |
![]() | AM95C60-16GEB/30 | AM95C60-16GEB/30 AMD PGA | AM95C60-16GEB/30.pdf |