창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LVC25JR510EV | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | LVC Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | LVC | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 0.51 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 1W | |
구성 | 후막 | |
특징 | 전류 감지, 내습성 | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
패키지/케이스 | 2512(6432 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 2512 | |
크기/치수 | 0.250" L x 0.130" W(6.35mm x 3.30mm) | |
높이 | 0.024"(0.61mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | OHLVC25JR510EV OHLVC25JR510EV-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | LVC25JR510EV | |
관련 링크 | LVC25JR, LVC25JR510EV 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 |
TV50C191J-G | TVS DIODE 190VWM 307.8VC SMC | TV50C191J-G.pdf | ||
SIT8208AI-G3-18E-33.333333X | 33.333333MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Enable/Disable | SIT8208AI-G3-18E-33.333333X.pdf | ||
FQPF7N65CYDTU | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F | FQPF7N65CYDTU.pdf | ||
DFNA2002DT1 | RES ARRAY 4 RES 20K OHM 8VDFN | DFNA2002DT1.pdf | ||
SSCMRRN001ND2A5 | Pressure Sensor ±0.04 PSI (±0.25 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-SMD, J-Lead, Dual Ports, Same Side | SSCMRRN001ND2A5.pdf | ||
15318226 | 15318226 Delphi SMD or Through Hole | 15318226.pdf | ||
SO8A | SO8A ORIGINAL SOT23-5 | SO8A.pdf | ||
VI-PU03-EYW | VI-PU03-EYW VICOR SMD or Through Hole | VI-PU03-EYW.pdf | ||
AS-3 | AS-3 ON SOT223 | AS-3.pdf | ||
82UH-3D16 | 82UH-3D16 LY SMD or Through Hole | 82UH-3D16.pdf | ||
LS45J3-2SR/PG-T | LS45J3-2SR/PG-T ORIGINAL SMD or Through Hole | LS45J3-2SR/PG-T.pdf | ||
IDT72V805L15 | IDT72V805L15 IDT TQFP | IDT72V805L15.pdf |