- LTE-3376(850nm)200MW

LTE-3376(850nm)200MW
제조업체 부품 번호
LTE-3376(850nm)200MW
제조업 자
-
제품 카테고리
다른 반도체 - 1
간단한 설명
LTE-3376(850nm)200MW LITEON SMD or Through Hole
데이터 시트 다운로드
다운로드
LTE-3376(850nm)200MW 가격 및 조달

가능 수량

39180 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 LTE-3376(850nm)200MW 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. LTE-3376(850nm)200MW 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. LTE-3376(850nm)200MW가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
LTE-3376(850nm)200MW 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
LTE-3376(850nm)200MW 매개 변수
내부 부품 번호EIS-LTE-3376(850nm)200MW
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈LTE-3376(850nm)200MW
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류SMD or Through Hole
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) LTE-3376(850nm)200MW
관련 링크LTE-3376(850, LTE-3376(850nm)200MW 데이터 시트, - 에이전트 유통
LTE-3376(850nm)200MW 의 관련 제품
2.2µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 스택 SMD, 2 J리드(Lead) 0.236" L x 0.197" W(6.00mm x 5.00mm) CKG57NX7R2A225M500JJ.pdf
DIODE VARACTOR SMV1276-079LF.pdf
188-81C2A1/24VDC ORIGINAL DIP 188-81C2A1/24VDC.pdf
PC814-2 SHARP DIP-8 PC814-2.pdf
IL2424S XP SIP4 IL2424S.pdf
B0530W-13-F DIODES SOD-123 B0530W-13-F.pdf
V32-INT3-SF AT TQFP V32-INT3-SF.pdf
FQB15N25C fairchild SMD or Through Hole FQB15N25C.pdf
MC3661CD MC SMD or Through Hole MC3661CD.pdf
SE450M6R8B05S-1019 YA DIP SE450M6R8B05S-1019.pdf
8214-A-0440 AMATOM SMD or Through Hole 8214-A-0440.pdf
M37760MCA8C0GP MITSUBISHI QFP M37760MCA8C0GP.pdf