- LTB-2012-2G4H6-A4

LTB-2012-2G4H6-A4
제조업체 부품 번호
LTB-2012-2G4H6-A4
제조업 자
-
제품 카테고리
다른 반도체 - 1
간단한 설명
LTB-2012-2G4H6-A4 MAGLayers SMD
데이터 시트 다운로드
다운로드
LTB-2012-2G4H6-A4 가격 및 조달

가능 수량

33140 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 LTB-2012-2G4H6-A4 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. LTB-2012-2G4H6-A4 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. LTB-2012-2G4H6-A4가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
LTB-2012-2G4H6-A4 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
LTB-2012-2G4H6-A4 매개 변수
내부 부품 번호EIS-LTB-2012-2G4H6-A4
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈LTB-2012-2G4H6-A4
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류SMD
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) LTB-2012-2G4H6-A4
관련 링크LTB-2012-2, LTB-2012-2G4H6-A4 데이터 시트, - 에이전트 유통
LTB-2012-2G4H6-A4 의 관련 제품
80MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable ASTMUPCFL-33-80.000MHZ-LY-E-T.pdf
820nH Unshielded Wirewound Inductor 360mA 2.3 Ohm Max 1008 (2520 Metric) CW252016-R82J.pdf
470nH Unshielded Wirewound Inductor 1.08A 210 mOhm Max Nonstandard SC1206-R47.pdf
R65C52P1 ROCKWELL DIP R65C52P1.pdf
NLC322522T-151K TDK SMD or Through Hole NLC322522T-151K.pdf
SMD C0603 1uF±10% 50V TDK SMD or Through Hole SMD C0603 1uF±10% 50V.pdf
9.843700MHZ HOSONIC SMD or Through Hole 9.843700MHZ.pdf
RTT058201F RALEC SMD or Through Hole RTT058201F.pdf
Q54A215QI. IDT SSOP Q54A215QI..pdf
ISL34340INZ INTERSIL N A ISL34340INZ.pdf
TK11118CSCL-HITACHI toko sot23-5 TK11118CSCL-HITACHI.pdf
UPD4516161G5-A107JF NEC TSSOP UPD4516161G5-A107JF.pdf