창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LSI1032E-100TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LSI1032E-100TL | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP-100L | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LSI1032E-100TL | |
| 관련 링크 | LSI1032E, LSI1032E-100TL 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | LQP02TQ6N2J02D | 6.2nH Unshielded Thick Film Inductor 220mA 1.3 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02TQ6N2J02D.pdf | |
![]() | IMC1812EB5R6K | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1.1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812EB5R6K.pdf | |
![]() | CRCW12102M40FKEA | RES SMD 2.4M OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12102M40FKEA.pdf | |
![]() | HSM88ASRTR-E | HSM88ASRTR-E RENESAS SOT-23 | HSM88ASRTR-E.pdf | |
![]() | S3F8235BZZ | S3F8235BZZ SAMSUNG QFP | S3F8235BZZ.pdf | |
![]() | SMBJ7V5CAE352 | SMBJ7V5CAE352 vishay SMD or Through Hole | SMBJ7V5CAE352.pdf | |
![]() | SE521/BCA | SE521/BCA PHI CDIP | SE521/BCA.pdf | |
![]() | SWRH0703-100MF | SWRH0703-100MF TAI-TECH SMD | SWRH0703-100MF.pdf | |
![]() | A151J | A151J ORIGINAL SMD or Through Hole | A151J.pdf | |
![]() | B66453G0000X197 | B66453G0000X197 ORIGINAL NA | B66453G0000X197.pdf | |
![]() | 6668R | 6668R API NA | 6668R.pdf | |
![]() | UB2021T | UB2021T PHI SOP | UB2021T.pdf |