창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LQP0603T6N8J04T1M1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LQP0603T6N8J04T1M1 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LQP0603T6N8J04T1M1 | |
| 관련 링크 | LQP0603T6N, LQP0603T6N8J04T1M1 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B41888C3109M | 10000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 15 mOhm @ 10kHz 10000 Hrs @ 105°C | B41888C3109M.pdf | |
![]() | VJ1825A123JBCAT4X | 0.012µF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A123JBCAT4X.pdf | |
| VLZ4V3-GS08 | DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80 | VLZ4V3-GS08.pdf | ||
![]() | R21600 | R21600 microsemi DO-4 | R21600.pdf | |
![]() | UN501-1A40 | UN501-1A40 ORIGINAL SOT | UN501-1A40.pdf | |
![]() | EB100 | EB100 GS Battery SMD or Through Hole | EB100 .pdf | |
![]() | DTZM1-60 | DTZM1-60 Rhombus SMD or Through Hole | DTZM1-60.pdf | |
![]() | SM20377-1 | SM20377-1 USA SMD or Through Hole | SM20377-1.pdf | |
![]() | HM1-6561B-7 | HM1-6561B-7 HARRIS DIP | HM1-6561B-7.pdf | |
![]() | WTH118-2W-10K | WTH118-2W-10K ORIGINAL SMD or Through Hole | WTH118-2W-10K.pdf | |
![]() | XC4VLX100-11FF1148 | XC4VLX100-11FF1148 XILINX BGA | XC4VLX100-11FF1148.pdf | |
![]() | HE2AN-Q-12V | HE2AN-Q-12V MICREL;MICREL; NULL | HE2AN-Q-12V.pdf |