창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LQLB2016T6R8M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LQLB2016T6R8M | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LQLB2016T6R8M | |
| 관련 링크 | LQLB201, LQLB2016T6R8M 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 445W25H12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 32pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W25H12M00000.pdf | |
![]() | 1N4955 | DIODE ZENER 7.5V 5W AXIAL | 1N4955.pdf | |
![]() | FP1007R3-R12-R | 115nH Unshielded Wirewound Inductor 61A 0.29 mOhm Nonstandard | FP1007R3-R12-R.pdf | |
| VO615A-2X019T | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel | VO615A-2X019T.pdf | ||
![]() | LM358DR**OS3 | LM358DR**OS3 TI SMD or Through Hole | LM358DR**OS3.pdf | |
![]() | UPD65643GJ-091-3EN | UPD65643GJ-091-3EN NEC QFP | UPD65643GJ-091-3EN.pdf | |
![]() | A9125D90 | A9125D90 N/A QFP44 | A9125D90.pdf | |
![]() | 75-0239 | 75-0239 IOR DIP6SOP6 | 75-0239.pdf | |
![]() | VY22581 | VY22581 PHI SMD or Through Hole | VY22581.pdf | |
![]() | TMK432F475Z00T | TMK432F475Z00T TAIYO SMD or Through Hole | TMK432F475Z00T.pdf | |
![]() | 6553-4.7U | 6553-4.7U TDK SMD or Through Hole | 6553-4.7U.pdf | |
![]() | MY4JA-AC220V | MY4JA-AC220V ORIGINAL SMD or Through Hole | MY4JA-AC220V.pdf |