창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LP822M035H3P3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | LP Type | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
계열 | LP | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 8200µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 35V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 51m옴 @ 120Hz | |
수명 @ 온도 | 1000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.69A @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.181"(30.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 105 | |
다른 이름 | 338-4101 LP822M035H3P3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | LP822M035H3P3 | |
관련 링크 | LP822M0, LP822M035H3P3 데이터 시트, Cornell Dubilier Electronics (CDE) 에이전트 유통 |
![]() | ER3M-TP | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB | ER3M-TP.pdf | |
![]() | TP0610K-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 | TP0610K-T1-E3.pdf | |
![]() | KRC411E-RTK/NM | KRC411E-RTK/NM KEC SOT523 | KRC411E-RTK/NM.pdf | |
![]() | 249-8072-3733-504F | 249-8072-3733-504F ORIGINAL NEW | 249-8072-3733-504F.pdf | |
![]() | 330K470M | 330K470M ORIGINAL SMD20 | 330K470M.pdf | |
![]() | KM416C1204AT-6 | KM416C1204AT-6 SAMSUNG TSSOP | KM416C1204AT-6.pdf | |
![]() | A7503CY-470M | A7503CY-470M TOKP DIP | A7503CY-470M.pdf | |
![]() | 0473003MRT1 | 0473003MRT1 littlefuse SMD or Through Hole | 0473003MRT1.pdf | |
![]() | 1744041-1 | 1744041-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1744041-1.pdf | |
![]() | UMA02040G1002CA100 | UMA02040G1002CA100 Vishay SMD or Through Hole | UMA02040G1002CA100.pdf | |
![]() | TC1272-10ENBTR(X2) | TC1272-10ENBTR(X2) MICROCHIP SOT23-3P | TC1272-10ENBTR(X2).pdf | |
![]() | PLP3216S551SL2T1M0-001/T25 | PLP3216S551SL2T1M0-001/T25 MURATA SMD | PLP3216S551SL2T1M0-001/T25.pdf |