창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LP0701N3-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | LP0701 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Qualification Revision 13/Oct/2015 Assembly Site Qualification 08/Jun/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 16.5V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 300mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | LP0701N3-G | |
| 관련 링크 | LP0701, LP0701N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
| URY1H331MHD | 330µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | URY1H331MHD.pdf | ||
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![]() | T351B156K003AS | T351B156K003AS KEMET DIP | T351B156K003AS.pdf | |
![]() | ZC0061LRYT | ZC0061LRYT Motorola CuDIP40 | ZC0061LRYT.pdf |