창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LLM315R71C224MA11L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering LLM315R71C224MA11 Ref Sheet Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
제품 교육 모듈 | Low ESL MLCCs | |
주요제품 | Murata Ultra Small and Low ESL Capacitors | |
카탈로그 페이지 | 2164 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | LLM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.22µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 16V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 바이패스, 디커플링 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL(다중-단자) | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 490-4497-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | LLM315R71C224MA11L | |
관련 링크 | LLM315R71C, LLM315R71C224MA11L 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
![]() | FVXO-HC53BR-30.72 | 30.72MHz HCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FVXO-HC53BR-30.72.pdf | |
![]() | CMF50330R00FHEA | RES 330 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50330R00FHEA.pdf | |
![]() | AMS9102TAA | AMS9102TAA AMS DIP-8 | AMS9102TAA.pdf | |
![]() | 2SC1117R | 2SC1117R ORIGINAL TO-18 | 2SC1117R.pdf | |
![]() | SD1E226M05011BBC64 | SD1E226M05011BBC64 SAMWHA SMD or Through Hole | SD1E226M05011BBC64.pdf | |
![]() | HCF4007BEY | HCF4007BEY ST SMD or Through Hole | HCF4007BEY.pdf | |
![]() | CYD18S36V18-167BBXC | CYD18S36V18-167BBXC CY BGA19 19 | CYD18S36V18-167BBXC.pdf | |
![]() | EX034A-12.000M | EX034A-12.000M KSS DIP8 | EX034A-12.000M.pdf | |
![]() | RD5.1M-T1B B3 | RD5.1M-T1B B3 NEC SOT-23 | RD5.1M-T1B B3.pdf | |
![]() | K9F1G08UOA-PIBD | K9F1G08UOA-PIBD SAMSUNG TSSOP | K9F1G08UOA-PIBD.pdf | |
![]() | DZAC000331 | DZAC000331 TOSHIBA BGA | DZAC000331.pdf | |
![]() | EPM9400ARC208 | EPM9400ARC208 ALTERA QFP | EPM9400ARC208.pdf |