창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-LFX6C4FN256C-3I | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | LFX6C4FN256C-3I | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | BGA | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | LFX6C4FN256C-3I | |
관련 링크 | LFX6C4FN2, LFX6C4FN256C-3I 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | C4BSPBX3470ZAFJ | 0.47µF Film Capacitor 630V 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.634" L x 0.787" W (41.50mm x 20.00mm) | C4BSPBX3470ZAFJ.pdf | |
![]() | 7A-18.432MAAJ-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-18.432MAAJ-T.pdf | |
![]() | 416F40613CDT | 40.61MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40613CDT.pdf | |
![]() | STP185N55F3 | MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 | STP185N55F3.pdf | |
![]() | Y0789150R000B9L | RES 150 OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y0789150R000B9L.pdf | |
![]() | MCM6343TS11B | MCM6343TS11B FREESCALE TSOP44 | MCM6343TS11B.pdf | |
![]() | BA15BC0 | BA15BC0 ROHM TO-252 | BA15BC0.pdf | |
![]() | ST7GEME4M1 | ST7GEME4M1 STM SMD or Through Hole | ST7GEME4M1.pdf | |
![]() | STTK106/16E | STTK106/16E ORIGINAL SMD or Through Hole | STTK106/16E.pdf | |
![]() | MHV283R3SF/883 | MHV283R3SF/883 interpoint DIP | MHV283R3SF/883.pdf | |
![]() | RT0402BRB0719R1L | RT0402BRB0719R1L YAGEO SMD | RT0402BRB0719R1L.pdf |