창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LE-8611R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LE-8611R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LE-8611R | |
| 관련 링크 | LE-8, LE-8611R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9156AI-2D3-33E156.250000X | 156.25MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable | SIT9156AI-2D3-33E156.250000X.pdf | |
![]() | VS-4CSH02-M3/87A | DIODE STANDARD 200V 2A TO277A | VS-4CSH02-M3/87A.pdf | |
![]() | IDC5020ER3R3M | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 5.4A 15 mOhm Max Nonstandard | IDC5020ER3R3M.pdf | |
![]() | RG2012P-620-D-T5 | RES SMD 62 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-620-D-T5.pdf | |
![]() | EXB-N8V363JX | RES ARRAY 4 RES 36K OHM 0804 | EXB-N8V363JX.pdf | |
![]() | TLP663J(S,C,F) | TLP663J(S,C,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP663J(S,C,F).pdf | |
![]() | MBR0520/B2L | MBR0520/B2L ON 1206 | MBR0520/B2L.pdf | |
![]() | K4B1G1646G-HCH9 | K4B1G1646G-HCH9 SAMSUNG FBGA | K4B1G1646G-HCH9.pdf | |
![]() | R2002330 | R2002330 HIT SOP | R2002330.pdf | |
![]() | 20S100CT | 20S100CT ST TO-220 | 20S100CT.pdf | |
![]() | 3553BM | 3553BM BB DIP | 3553BM.pdf | |
![]() | SDR21-4R7M-LF | SDR21-4R7M-LF coilmaster NA | SDR21-4R7M-LF.pdf |