창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-L888 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | L888 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP-8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | L888 | |
| 관련 링크 | L8, L888 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B32529C5105J | 1µF Film Capacitor 32V 50V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.177" W (7.30mm x 4.50mm) | B32529C5105J.pdf | |
![]() | RCL121841K2FKEK | RES SMD 41.2K OHM 1W 1812 WIDE | RCL121841K2FKEK.pdf | |
![]() | RG1608N-8660-B-T5 | RES SMD 866 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-8660-B-T5.pdf | |
![]() | M1005S020PR | M1005S020PR MtronPTI SMD or Through Hole | M1005S020PR.pdf | |
![]() | K4H560838HUCB3 | K4H560838HUCB3 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4H560838HUCB3.pdf | |
![]() | MG50Q6ES40 | MG50Q6ES40 TOSHIBA SMD or Through Hole | MG50Q6ES40.pdf | |
![]() | 1AGO | 1AGO MICROCHIP QFN-8P | 1AGO.pdf | |
![]() | 20138N | 20138N ORIGINAL NEW | 20138N.pdf | |
![]() | APT4530BN | APT4530BN ORIGINAL TO-3P | APT4530BN.pdf | |
![]() | RA3-100V221MJ6 | RA3-100V221MJ6 ELNA DIP | RA3-100V221MJ6.pdf | |
![]() | MAX4073 | MAX4073 ORIGINAL TSOP | MAX4073.pdf |