- L256M16DDR400B-E
L256M16DDR400B-E 가격 및 조달
가능 수량
53500 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 L256M16DDR400B-E 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. L256M16DDR400B-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. L256M16DDR400B-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- L256M16DDR400B-E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
L256M16DDR400B-E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-L256M16DDR400B-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | L256M16DDR400B-E | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TSOP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | L256M16DDR400B-E | |
| 관련 링크 | L256M16DD, L256M16DDR400B-E 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
L256M16DDR400B-E 의 관련 제품
.jpg) | CGJ5L3C0G2D822J160AA | 8200pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGJ5L3C0G2D822J160AA.pdf | |
 | 445A31C30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 16pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A31C30M00000.pdf | |
 | 511QCA-BAAG | 125MHz ~ 169.999MHz CMOS, Dual (Complimentary) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 26mA Enable/Disable | 511QCA-BAAG.pdf | |
 | CZRU52C39-HF | DIODE ZENER 39V 150MW 0603 | CZRU52C39-HF.pdf | |
 | 3329W-1-254LF | 250k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3329W-1-254LF.pdf | |
| B39349-X7268-L100 | B39349-X7268-L100 EPCOS SOP18 | B39349-X7268-L100.pdf | |
| NH0502R000JE02 | NH0502R000JE02 ORIGINAL SMD or Through Hole | NH0502R000JE02.pdf | |
| MB15D93PFV | MB15D93PFV FUJITSU TSSOP | MB15D93PFV.pdf | |
| ML401 | ML401 TriQuint SOIC-8 | ML401.pdf | |
| SG5131P | SG5131P ORIGINAL DIP4 | SG5131P.pdf | |
| AS2930AU-5 | AS2930AU-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | AS2930AU-5.pdf | |
| ES52110E | ES52110E ORIGINAL DIP | ES52110E.pdf |