창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-KTR25JZPJ152 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | KTR Series Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage KTR Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | KTR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 1.5k | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 0.333W, 1/3W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200, 고전압 | |
| 온도 계수 | ±200ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1210 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.028"(0.70mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | KTR25JZPJ152 | |
| 관련 링크 | KTR25JZ, KTR25JZPJ152 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | W2A25A470KAT2A | 47pF Isolated Capacitor 2 Array 50V C0G, NP0 0508 (1220 Metric) 0.051" L x 0.083" W (1.30mm x 2.10mm) | W2A25A470KAT2A.pdf | |
![]() | 416F37013CLT | 37MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37013CLT.pdf | |
![]() | 310000031584 | HERMETIC THERMOSTAT | 310000031584.pdf | |
![]() | PHE840MF7150MF13R17L2 | PHE840MF7150MF13R17L2 KEMET DIP | PHE840MF7150MF13R17L2.pdf | |
![]() | M27C102410F1 | M27C102410F1 ST CDIP40 | M27C102410F1.pdf | |
![]() | MAX126CC/D+ | MAX126CC/D+ NULL NULL | MAX126CC/D+.pdf | |
![]() | LTC1485CN8#PBF | LTC1485CN8#PBF LT SMD or Through Hole | LTC1485CN8#PBF.pdf | |
![]() | LM75AD118 | LM75AD118 NXP SMD or Through Hole | LM75AD118.pdf | |
![]() | CJ0G680MBS1BA(4ABB68) 4V68UF-B | CJ0G680MBS1BA(4ABB68) 4V68UF-B SANYO SMD or Through Hole | CJ0G680MBS1BA(4ABB68) 4V68UF-B.pdf | |
![]() | MXT2576-5 | MXT2576-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | MXT2576-5.pdf | |
![]() | SSM3K16CT--TL3APP1E | SSM3K16CT--TL3APP1E TOSHIBA SMD or Through Hole | SSM3K16CT--TL3APP1E.pdf |