창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-KTR18EZPF1211 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | KTR Series Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Resistor Products Overview | |
| 주요제품 | ROHM Chip Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | KTR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 1.21k | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200, 고전압 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1206 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.026"(0.65mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | RHM1.21KAITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | KTR18EZPF1211 | |
| 관련 링크 | KTR18EZ, KTR18EZPF1211 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 2STN1360 | TRANS NPN 60V 3A SOT-223 | 2STN1360.pdf | |
![]() | AZ762-1CE-24D | AZ762-1CE-24D AZ SMD or Through Hole | AZ762-1CE-24D.pdf | |
![]() | 25C040 | 25C040 MIC DIP8 | 25C040.pdf | |
![]() | RIVA-TNT2-S1 | RIVA-TNT2-S1 NVIDIA BGA | RIVA-TNT2-S1.pdf | |
![]() | MURA120LT3 | MURA120LT3 ON SMD or Through Hole | MURA120LT3.pdf | |
![]() | 4.30MG | 4.30MG ZTT SMD(38) | 4.30MG.pdf | |
![]() | CX74051-01P | CX74051-01P CONEXANT BGA | CX74051-01P.pdf | |
![]() | MC68VZ328PV. | MC68VZ328PV. MOT TQFP-144 | MC68VZ328PV..pdf | |
![]() | UPV1C220MDA1TD | UPV1C220MDA1TD NCH SMD or Through Hole | UPV1C220MDA1TD.pdf | |
![]() | GOS8260B12M | GOS8260B12M ORIGINAL SMD or Through Hole | GOS8260B12M.pdf | |
![]() | NAND256W3AOBE06 | NAND256W3AOBE06 ST BGA | NAND256W3AOBE06.pdf | |
![]() | LTE5.5MB | LTE5.5MB CQ SMD or Through Hole | LTE5.5MB.pdf |