창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-KSB834WYTM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | KSB834W | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 300mA, 3A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 9MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | KSB834WYTM-ND KSB834WYTMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | KSB834WYTM | |
| 관련 링크 | KSB834, KSB834WYTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 2890-24J | 15µH Unshielded Molded Inductor 365mA 3.25 Ohm Max Axial | 2890-24J.pdf | |
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![]() | CP000347R00JE14 | RES 47 OHM 3W 5% AXIAL | CP000347R00JE14.pdf | |
![]() | F1206A2R00FWTR(2.0A) | F1206A2R00FWTR(2.0A) AVX 1206 | F1206A2R00FWTR(2.0A).pdf | |
![]() | SCD03021T-681K-N | SCD03021T-681K-N NULL SMD or Through Hole | SCD03021T-681K-N.pdf | |
![]() | K4S511633F-PL1I | K4S511633F-PL1I SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S511633F-PL1I.pdf | |
![]() | SN74LS47DR | SN74LS47DR TI SMD or Through Hole | SN74LS47DR.pdf | |
![]() | IB1203D-1W | IB1203D-1W YUAN DIP | IB1203D-1W.pdf | |
![]() | X801998-002 | X801998-002 NSC QFN | X801998-002.pdf | |
![]() | MG100Q2YS42EP | MG100Q2YS42EP TOS SMD or Through Hole | MG100Q2YS42EP.pdf | |
![]() | SD1V106M6L011BB363 | SD1V106M6L011BB363 SAMWHA SMD or Through Hole | SD1V106M6L011BB363.pdf |