창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-KQ1008TTE1R0J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | KQ1008TTE1R0J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | KQ1008TTE1R0J | |
| 관련 링크 | KQ1008T, KQ1008TTE1R0J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 380LX153M035A022 | 15000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 36 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | 380LX153M035A022.pdf | |
![]() | 416F3701XCAT | 37MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3701XCAT.pdf | |
![]() | SIT2001BC-S2-18E-24.000000E | OSC XO 1.8V 24MHZ OE | SIT2001BC-S2-18E-24.000000E.pdf | |
![]() | IRFD9010PBF | MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP | IRFD9010PBF.pdf | |
![]() | ERA-6AEB6652V | RES SMD 66.5K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB6652V.pdf | |
![]() | UPD789830P-522 | UPD789830P-522 NEC SMD or Through Hole | UPD789830P-522.pdf | |
![]() | TMP8243P | TMP8243P TOSHIBA DiP | TMP8243P.pdf | |
![]() | FT-X2 | FT-X2 ECHELON DIP-4 | FT-X2.pdf | |
![]() | PL611-519SC-A4-L | PL611-519SC-A4-L Phaselink SOP8 | PL611-519SC-A4-L.pdf | |
![]() | SGL60N90DG3M2TU | SGL60N90DG3M2TU F/SAM TO-3PL | SGL60N90DG3M2TU.pdf | |
![]() | SDA1013 | SDA1013 ORIGINAL T251 252 | SDA1013.pdf | |
![]() | LM137H883QS | LM137H883QS NATIONALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | LM137H883QS.pdf |