- K4M561633G-BN750
K4M561633G-BN750 가격 및 조달
가능 수량
33000 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 K4M561633G-BN750 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. K4M561633G-BN750 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. K4M561633G-BN750가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- K4M561633G-BN750 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
K4M561633G-BN750 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-K4M561633G-BN750 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | K4M561633G-BN750 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | K4M561633G-BN750 | |
| 관련 링크 | K4M561633, K4M561633G-BN750 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
K4M561633G-BN750 의 관련 제품
 | 1812GA151KAT1C | 150pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GA151KAT1C.pdf | |
 | 416F37035CDT | 37MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37035CDT.pdf | |
 | NR6020T6R8N | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 102 mOhm Max Nonstandard | NR6020T6R8N.pdf | |
 | AAT3216IGU-3.0-T1 | AAT3216IGU-3.0-T1 ANALOGICTEC SOT-6 | AAT3216IGU-3.0-T1.pdf | |
| I2C-CPEV | I2C-CPEV NS USBI2C | I2C-CPEV.pdf | |
| TPS72625 | TPS72625 TI TO5 | TPS72625.pdf | |
| B32560J0105J189 | B32560J0105J189 EPCOS DIP | B32560J0105J189.pdf | |
| FST8060 | FST8060 MCC D61-8 | FST8060.pdf | |
| V76PX(11,6x5,4) | V76PX(11,6x5,4) VARTA SMD or Through Hole | V76PX(11,6x5,4).pdf | |
| LP78082QVF | LP78082QVF LowPower DFN10 | LP78082QVF.pdf | |
| MAX3207EAUT+T(abvg | MAX3207EAUT+T(abvg MAXIM SOT23-6 | MAX3207EAUT+T(abvg.pdf |